更高读出速度
最高可达20000fps，特别适合高速原位实验/电子束敏感材料快速成像，同时高的读出速度节省了操作时间，使测量过程中的样品漂移最小，减少了样品损坏，提高了TEM观察效率；
直接电子探测
采用直接电子探测技术，提供优异的信噪比，满足低剂量（Low-dose）成像要求，最大程度避免了信号的损失
芯片使用寿命更长
直接探测芯片耐辐照指标为10e17@300keV，较传统电子直接探测相机寿命高出8个数量级；
更宽探测范围
同时采用独特芯片设计，能够满足5keV~300keV超宽电压范围成像
更大动态范围
动态范围为10e-3到10e7 per mm²/Sec，特别适合4D-STEM成像
优越的信噪比
极低的读出噪声，可实现在低束流下精确对几keV单电子探测，出色的信噪比（SNR）>300:1，允许在低束流下对单电子事件和微弱衍射峰进行光谱测量；
人机界面友好
专业PNOnline软件包提供对相机的控制和操作，以及对数据各种现实及分析处理，并可设置相应数据的访问权限；
人机界面友好配备PNOnline实时分析功能，用户可以自由添加模拟选取光阑，可用户BF/HAADF/DPC及其他各类感兴趣数据。
沪公网安备 31011702008509号
