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SEM Mill 氩离子抛光仪

型号:1061

专利电磁聚焦离子枪设计 
超宽加速电压范围(最高10keV),抛光效率高 
最低100eV,修复后近乎无损 
配备液氮冷台(可持续制冷超过18小时),去除热损伤 
同时具备截面切割和平面抛光功能 
可选配真空转移 
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EBSD制样

 

真空转移盒,能够实现手套箱、氩离子抛光、扫描电镜或FIB三者之间进行惰性气体或真空条件下样品的转移,特别适合锂电池、钙钛矿、石墨烯等水氧敏感材料制样需求。

SEM Mill 作为采用尖端技术制造的离子束切割抛光系统,提供可靠、高性能的样品制备能力,能够在最短时间内解决各类扫描电镜制样困难材料的制样问题,同时具备紧凑、精确以及高稳定性的优点。

 

主要性能特点:

• 两支独立可调电磁聚焦离子枪

• 同时具备高能量(快速抛光)和低能量(精细修复)

• 超宽加速电压范围:100eV 到 10kV,不同加速电 压下,离子束束斑均保持最细最优束斑状态

• 每支离子枪均配备对应法拉第杯进行离子束直接探测

• 采用可调节10英寸触屏控制系统,人机界面友好,操作简洁

• 配备横截面切割装载及定位工具

• 配备磁编码器,带有样品测厚功能,自动匹配最佳抛光位置,保证最佳的抛光质量和效率

• 抛光 角度范围:0 0 °到 +10°连续可调

• 具备原位实时观察及记录 抛光 过程功能

• 样品可360°连续旋转或摇摆,离子束自动避让样品夹

• 可通过时间 或 温度自动停止

• 可选液氮冷台配置,去除热效应对样品的损伤

• 可选真空或惰性气体转移装置,隔绝样品与水氧接触

 

离子抛光技术简介

离子 抛光技术通常采用惰性气体氩,通过将氩气离子化后,在电场加速作用下轰击到样品表面,利用动量转移的方式进行可控速率条件下,物理溅射轰击的方式对样品技术通常采用惰性气体表面进行精细抛光处理,满足扫描电镜/EBSD等表面敏感分析技术制样需求。

 

32层第二代3D V-NAND存储芯片

 

Model 1061 SEM Mill 技术规格

离子源

两支TrueFocus聚焦离子源可调节能量范围100 eV到10 keV ,最大束流密度可达10 mA/cm 2抛光角度 0° 到 +10˚连续可调可选择单枪或双枪工作模式两支离子枪能量可独立调节可选手动或自动马达离子枪离子束束斑大小300μm —5mm连续可调

样品台

样品尺寸

横截面切割: Max 25x10x7mm

平面抛光:32mm直径 x 25mm 高

360˚ 旋转且转速可调,同时样品台可摇摆

磁编码器提供绝对定位精度

液氮冷台

可选液氮冷台设计,冷却时间分为3-5小时,即18小时以上两种,最低温度<170℃,具备自动程序化控温设计

抛光速率

500μm/Hr(Si@10keV)

真空系统

80L/s分子泵加多级无油隔膜泵配有款量程冷阴极规

真空转移

可选真空转移或惰性气体保护下转移升级

气源

99.999%高纯氩气,使用压力 15 psi

配备精确气体质量流量计

人机界面

10英寸触屏设计,可实现配方编程控制可选远程灯光指示器

尺寸重量

68cm(W)X 55cm(H)X 54cm(D),73kg

电源

220/240 VAC, 50/60 Hz, 720 W

保修期

一年

 

左图为镁合金背散射图像,右图为EBSD衍射花样

 

左图为钛合金背散射图像,右图为EBSD衍射花样

 

左图为锆合金背散射图像,右图为EBSD衍射花样

 

左图及右图均为页岩气样品抛光之后具备高倍成像结果

 

横截面切割精密对位系统

应用更新中...
图库更新中...

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